双极性SnO薄膜晶体管

高增益CMOS类

F等离子体处理赋予SnO沟道平衡的p/n型传导和优异的偏压稳定性，使同类逆变器增益极高。

Zening, Gao · Peng, Dai · Ning, Wang · Yiwen, Yao · Jialong, Song · Jinlong, Xiang · 王一鸣 · 张嘉炜 · 李玉香 · 辛倩 · 宋爱民

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

具体参数

电压增益
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技术优势

增益高一个量级

F等离子体处理的SnO TFT构建的CMOS类逆变器在8 V低电压下电压增益达289，远超同类器件。

开关特性大幅提升

F等离子体处理使开关电流比和亚阈值摆幅显著增强，器件性能更优。

偏压稳定性更好

F等离子体处理改善了负偏压应力稳定性，器件在长时间工作下更可靠。

应用场景