高取向AlN薄膜

表面粗糙度低至0.32 nm

通过正偏压调控反应磁控溅射，在蓝宝石基板上获得沿(002)方向择优取向、表面致密均匀的AlN薄膜，其晶体质量与表面品质显著优于常规工艺，适用于高频声表面波器件。

杜勇 · Li, Tiejun · 邵桂芳

Micromachines 2025

参数信息

RMS表面粗糙度

0.32 nm

技术优势

表面粗糙度最低0.32 nm

在100 V正偏压下，AlN薄膜表面达到最低RMS粗糙度，显著提升表面质量，有利于SAW器件的传播损耗降低。

(002)择优取向增强

随着偏压增加，XRD分析显示(002)衍射峰强度增强，表明晶体沿c轴取向更优，有利于提高压电性能。

应用场景

• 声表面波器件：用作压电层，低粗糙度降低传播损耗。
• 压电MEMS：集成到MEMS中，高取向提升机电耦合。
• 高频滤波器：制备高频滤波器，高c轴取向保证频率稳定性。