30 V kPa⁻¹ 超高灵敏度
通过分子自组装形成神经元状微结构,取代传统化学修饰,实现电子亲和力与接触效率的协同增强。
Weijie, Gui · Yuqi, Liu · Lei, Yu · Qian, Yongxin · Yuanhang, Zhang · Liu, Xiao · 马传国 · Lu, Shaoning · 戴培邦 · Yan, Yongzhu · Zhao, Jinchuan · 王桂振
Chemical Engineering Journal 2025
30 V kPa⁻¹ 的灵敏度是已有 SBS 基 TENG 的几倍到几十倍,微弱压力也能产生大信号。
物理共混替代有毒氟化处理,避免安全隐患和结构损伤,保持 SBS 固有柔性。
电纺过程中自发形成神经元状分级微结构,无需溶剂蚀刻或等离子体处理。
在 5 wt% 最优配比下,开路电压 220 V、短路电流 412 nA、转移电荷密度 39 nC,足以驱动小型电子器件。