面外铁电
首次选择性生长非层状γ相In2Se3超薄膜，其铁电极化方向与以往报道不同，为面向外方向。
Yinfeng, Long · 陈汉 · 李艳 · 李润莱 · 王琳 · 罗鑫 · 赵晓续
Advanced Materials 2025
通过更换前驱体（In2Se3、In2O3、InCl3）改变升华温度，可以选择性获得α、β或γ相，实现对多型体的可控合成。
原位观察γ相到InSe的转变过程，归因于层间键断裂、空位重组和Se原子去除，为控制相稳定性提供机理依据。
该γ相展示仅面外方向的铁电极化，来源是Se原子的垂直偏心位移，与已有报道的多型体行为不同。