巨磁阻超1820%
界面几何工程在原子尺度调控自旋输运，实现自旋过滤、整流与负微分电阻并存的多功能自旋电子行为。
Bian, Jiangyu · 75791320 · Ma, Tengying · 常鹰飞
Surfaces and Interfaces 2026
M3构型在0.1 V低偏压下实现超过1820%的巨磁阻，得益于界面轨道杂化对自旋通道的偏压和磁化依赖性调制。
同一结同时实现自旋过滤、自旋整流和稳定的负微分电阻，无需串联多个元件。
巨磁阻在仅0.1 V偏压下即可实现，有利于降低器件功耗。
改变锚定方式（M1–M4）可大幅调变界面电子耦合和磁相互作用，为定制自旋输运特性提供灵活设计空间。