抑制高低偏压Ron差异
双阳极金属结构缓解了导通电阻随偏压变化的异常，改善了器件在低压段的导通性能。
Wentao, Zhang · Li, Ang · 王冲 · 郑雪峰 · 马晓华 · Liu, Kai · Kuo, Zhang · 郝跃
Micro and Nanostructures 2024
双阳极金属分别与上下沟道匹配，使低偏压下导通电阻不再倍增，器件在整个正向偏压范围内保持较低的Ron。
通过增加势垒层厚度可以降低器件的开启电压，从而在更低的正向电压下导通，适用于低压应用。
不同阳极金属结构影响击穿特性，钨替代镍后电场均匀性变差，但整体击穿电压仍在可接受范围，设计时可灵活选择。