二维ZrGeTe₄材料

理论ZT达6

兼具高功率因子与低晶格热导,900 K下n型理论ZT达6。

Muhammad, Nisar · Mu, Wenlai · Nguyen, TuanHung · 杨腾 · 丁泽军

ACS Applied Energy Materials 2025

具体参数

热电优值ZT
6
热电优值ZT
3
带隙
0.78 eV
带隙
0.36 eV
电子迁移率
1540.93 cm² V⁻¹ s⁻¹

技术优势

ZT达6,效率高

n型材料在900 K时理论ZT为6,远高于许多报道的热电材料,源于高功率因子和极低晶格热导的协同。

迁移率各向异性强

电子和空穴迁移率沿x方向占主导且数值高(电子迁移率1540.93 cm² V⁻¹ s⁻¹),有利于定向输运。

本征低热导

由于ZrGeTe₄的范德华层状结构和极端声子非谐性,晶格热导率极低,无需复杂纳米结构即可抑制热传导。

应用场景