磁场耦合抛光工具

粗糙度降至27.6 nm

利用磁流变剪切增稠抛光，在硬脆SiC衬底上实现超精密表面，无需化学腐蚀。

Xifeng, Ma · 田业冰 · Cheng, Qian · Ma, Zhen · Ahmad, Shadab · Ling, Li · Fan, Zenghua

Ceramics International 2024

参数信息

表面粗糙度

27.6 nm

主轴转速

700 rpm

进给速度

600 mm/min

工作间隙

0.5 mm

CIPs粒径

100 μm

技术优势

粗糙度降三个数量级

表面粗糙度从1.414 μm改善到27.6 nm，跨越从微米到纳米量级。

无需化学蚀刻

采用纯机械的磁流变剪切增稠抛光机制，避免使用腐蚀性化学品。

高磁感应强度

多磁极耦合工具在抛光区域产生强磁场，增强抛光介质的剪切增稠效果。

应用场景

• 半导体衬底抛光：直接获得纳米级表面，省去化学机械抛光的腐蚀步骤。
• 光电材料加工：满足光电衬底对低损伤表面的苛刻要求。
• 精密表面处理：在硬脆材料上实现超精密表面，替代传统研磨。
• 超精密加工：提供一种新的超精密加工手段，突破硬脆材料加工瓶颈。