氧化锡突触晶体管

光写入·电擦除·非易失

利用光生栅压效应实现非易失光学存储，并可通过电脉冲逆转状态，不同于常规的单纯光或电调制的突触器件。

Gexun, Qin · 孙艳梅 · Xuelin, Sun

Solar Energy Materials and Solar Cells 2026

具体参数

电流开关比
{'zh': '1.05 × 10⁵', 'en': '1.05 × 10⁵'}
长期稳定性
{'zh': '>8000', 'en': '>8000'} s
工作温度上限
{'zh': '>35', 'en': '>35'} °C

技术优势

光写入电擦除

紫外光脉冲诱导稳定电导态实现非易失存储，栅压脉冲可逆擦除，使器件可重复编程。

开关比极高

器件表现出双极性传输，电流开关比高达1.05 × 10⁵，确保存储状态清晰可辨。

状态长期稳定

在空气中保持稳定的电特性超过8000秒，适合需要持续状态保持的应用。

应用场景