质子辐照GaN HEMT

击穿电压提升

质子辐照在器件沟道和势垒层引入受主陷阱，关态击穿电压提升，但射频功率增益和热阻退化，适合需权衡辐照效应的抗辐照功率器件设计。

Zhu, Tian · 郑雪峰 · Hao, Zhang · 吕玲 · Yue, Shaozhong · Tai-Xu, Yin · Wang, Xiaohu · 曹艳荣 · Tan, Wang · Tao, Han · 马晓华 · 74227950

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

技术优势

关态漏源击穿电压（BVDS）在质子辐照后提高

RF输出功率（Pout）和增益在高输入功率下下降

热阻（RTH）增加