效率1.1个百分点跃升
用真空热蒸发即可制备的有机小分子层,同时抑制界面反应和电子扩散,让传统器件结构的开路电压和效率同步提高。
Hu, Yu Jie · Chen, Zhixiang · Yi, Xiang · 程传辉 · 刘维 · 詹卫伸
Journal of Semiconductors 2023
TCTA层既能抑制退火时ITO与Sb2Se3的化学反应,又能阻挡电子从吸收层向ITO扩散,从两个途径减少界面复合。
引入3 nm TCTA后,开路电压从0.36 V升至0.42 V,有利于器件效率的整体提升。
在相同器件结构下,功率转换效率从3.2%提高到4.3%,相对提升约34%。