高电子迁移率锗薄膜

室温迁移率近2000

在硅衬底上直接生长的锗薄膜，通过界面位错实现应变弛豫，以低位错密度换取超高室温载流子迁移率。

Jieyin, Zhang · 李明 · Liangxin, Liao · Xin, Geng · Zhang, Xinding · 张建军

Nanomaterials 2026

具体参数

室温霍尔迁移率高

{'zh': '1916', 'en': ''} cm²V⁻¹s⁻¹

载流子浓度

{'zh': '1.425 × 10¹⁶', 'en': ''} cm⁻³

表面粗糙度

{'zh': '0.187', 'en': ''} nm

穿透位错密度仅

{'zh': '1.2 × 10⁷', 'en': ''} cm⁻²